Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
340 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
PowerTrench
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
10 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
960 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1,6 nC
Genişlik
1.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
16,779 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Hariç
20,135 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
16,779 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Hariç
20,135 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
20 - 80 | 16,779 TL | 335,58 TL |
100 - 480 | 11,891 TL | 237,82 TL |
500 - 980 | 9,776 TL | 195,52 TL |
1000 - 2980 | 7,896 TL | 157,92 TL |
3000+ | 6,721 TL | 134,42 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
340 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
PowerTrench
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
10 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
960 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1,6 nC
Genişlik
1.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.