Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-883
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
4pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
4pF
Boyutlar
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Uzunluk
1.08mm
Yükseklik
0.41mm
Maksimum Güç Kaybı
100 mW
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
0.68mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
7,009 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Hariç
8,411 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
50
7,009 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Hariç
8,411 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
50 - 200 | 7,009 TL | 350,45 TL |
250 - 950 | 3,354 TL | 167,70 TL |
1000 - 2450 | 2,752 TL | 137,60 TL |
2500+ | 2,709 TL | 135,45 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-883
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
4pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
4pF
Boyutlar
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Uzunluk
1.08mm
Yükseklik
0.41mm
Maksimum Güç Kaybı
100 mW
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
0.68mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.