Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
618 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Yapılandırma
Tek
Paket Tipi
SEMITRANS3
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
5
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
9.664,14 TL
Each (KDV Hariç)
11.596,97 TL
Each KDV Dahil
1
9.664,14 TL
Each (KDV Hariç)
11.596,97 TL
Each KDV Dahil
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 9 | 9.664,14 TL |
10 - 19 | 9.193,20 TL |
20 - 49 | 8.732,60 TL |
50 - 249 | 8.300,20 TL |
250+ | 7.896,94 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
618 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Yapılandırma
Tek
Paket Tipi
SEMITRANS3
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
5
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.