Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
120 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
75 V
Seri
STripFET F3
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
310 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.35mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 160 nC
Yükseklik
4.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
66.270,00 TL
66,27 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
79.524,00 TL
79,524 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
66.270,00 TL
66,27 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
79.524,00 TL
79,524 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
120 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
75 V
Seri
STripFET F3
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
310 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.35mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 160 nC
Yükseklik
4.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.