Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
110 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-220
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 160 nC
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
15.75mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
6.039,50 TL
120,79 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
7.247,40 TL
144,948 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
6.039,50 TL
120,79 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
7.247,40 TL
144,948 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
110 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-220
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 160 nC
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
15.75mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.