Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
79 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Paket Tipi
SON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.4V
Maksimum Güç Kaybı
46 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +16 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 5,8 nC
Genişlik
3.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
1.1mm
Seri
NexFET
Ürün Ayrıntıları
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
79 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Paket Tipi
SON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.4V
Maksimum Güç Kaybı
46 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +16 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 5,8 nC
Genişlik
3.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
1.1mm
Seri
NexFET
Ürün Ayrıntıları