Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ToshibaGüç Anahtarı Topolojisi
Yüksek Taraf
Güç Anahtarı Tipi
Yüksek Güç Taraflı (High Side) Switch
Açma Direnci
1.2Ω
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
40 V
Çıkışların Sayısı
8
Güç Değeri
1.2W
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SSOP
Pim Sayısı
24
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Boyutlar
13.5 x 6 x 1.4mm
Ürün Ayrıntıları
Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
6.453,95 TL
258,16 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
7.744,74 TL
309,79 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
6.453,95 TL
258,16 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
7.744,74 TL
309,79 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
25 - 99 | 258,16 TL |
100 - 249 | 251,20 TL |
250 - 499 | 245,40 TL |
500+ | 239,60 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ToshibaGüç Anahtarı Topolojisi
Yüksek Taraf
Güç Anahtarı Tipi
Yüksek Güç Taraflı (High Side) Switch
Açma Direnci
1.2Ω
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
40 V
Çıkışların Sayısı
8
Güç Değeri
1.2W
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SSOP
Pim Sayısı
24
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Boyutlar
13.5 x 6 x 1.4mm
Ürün Ayrıntıları
Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.