Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MDmesh Güç MOSFET'i
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
800V
Paket Tipi
TO-263
Seri
STB11NM80
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.4Ω
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
43.6nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
İleri Gerilim (Vf)
0.86V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
4.37mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
226.710,00 TL
226,71 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
272.052,00 TL
272,052 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
226.710,00 TL
226,71 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
272.052,00 TL
272,052 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MDmesh Güç MOSFET'i
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
800V
Paket Tipi
TO-263
Seri
STB11NM80
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.4Ω
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
43.6nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
İleri Gerilim (Vf)
0.86V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
4.37mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
