Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Doğrultucu ve Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-247
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
40A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
1200V
Diyot Konfigürasyonu
2x Ortak Katot Çifti
Seri
STPS
Redresör Tipi
Doğrultucu Diyot
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
140A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
34.95mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is available in TO-247 and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.118,37 TL
1.118,37 TL Each (KDV Hariç)
1.342,04 TL
1.342,04 TL Each KDV Dahil
Standart
1
1.118,37 TL
1.118,37 TL Each (KDV Hariç)
1.342,04 TL
1.342,04 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Doğrultucu ve Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-247
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
40A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
1200V
Diyot Konfigürasyonu
2x Ortak Katot Çifti
Seri
STPS
Redresör Tipi
Doğrultucu Diyot
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
140A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
34.95mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is available in TO-247 and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
