Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
45A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
100mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
105nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
270W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
3.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
942,35 TL
942,35 TL Each (KDV Hariç)
1.130,82 TL
1.130,82 TL Each KDV Dahil
Standart
1
942,35 TL
942,35 TL Each (KDV Hariç)
1.130,82 TL
1.130,82 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
45A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
100mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
105nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
270W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
3.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.