Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-220AC
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
10A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC10065
Redresör Tipi
Schottky Diyot
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
130μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.65V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
48A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
15.75mm
Standartlar/Onaylar
ECOPACK, UL94 V0
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
6.685,80 TL
133,716 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
8.022,96 TL
160,459 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
6.685,80 TL
133,716 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
8.022,96 TL
160,459 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-220AC
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
10A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC10065
Redresör Tipi
Schottky Diyot
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
130μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.65V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
48A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
15.75mm
Standartlar/Onaylar
ECOPACK, UL94 V0
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
