Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-220
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
10A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Silikon Karbür Schottky Diyot
Seri
STPSC
Redresör Tipi
SiC Schottky
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
425μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
650A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
4.6mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
114,18 TL
114,18 TL Each (KDV Hariç)
137,02 TL
137,02 TL Each KDV Dahil
1
114,18 TL
114,18 TL Each (KDV Hariç)
137,02 TL
137,02 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-220
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
10A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Silikon Karbür Schottky Diyot
Seri
STPSC
Redresör Tipi
SiC Schottky
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
425μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
650A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
4.6mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
