Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3 + Tab
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.7mm
Genişlik
3.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.7mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
452,40 TL
18,096 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
542,88 TL
21,715 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
25

452,40 TL
18,096 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
542,88 TL
21,715 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
25

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 25 - 95 | 18,096 TL | 90,48 TL |
| 100 - 245 | 14,036 TL | 70,18 TL |
| 250 - 495 | 13,572 TL | 67,86 TL |
| 500+ | 13,108 TL | 65,54 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3 + Tab
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.7mm
Genişlik
3.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.7mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


