Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IsocomÜrün Tipi
Optokuplör
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Maksimum İleri Gerilim
1.5V
Kanalların Sayısı
1
Ambalaj
Bant ve makara
Pimlerin Sayısı
6
Paket Tipi
DIP
Giriş Akımı Tipi
AC
Tipik Yükselme Süresi
2μs
Maksimum Giriş Akımı
60mA
İzolasyon Gerilimi
5300Vrms
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
100°C
Tipik Düşme Süresi
2μs
Standartlar/Onaylar
EN60950 (Nemko P01102464), CECC 00802, UL (E91231), VDE 0884
Seri
MOC
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
The MOC8101/2/3/4/G series are constructed from a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode optically coupled to a monolithic silicon photo transistor detector. They have been designed and specified to meet the requirements of switchmode power supplies and other applications requiring very closely matched current transfer ratios (CTR), linearity and stable performance over the temperature range. The internal base-to-pin 6 connection has been eliminated for improved noise immunity. Surface Mount Option Available.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
978,12 TL
15,048 TL Each (In a Tube of 65) (KDV Hariç)
1.173,74 TL
18,058 TL Each (In a Tube of 65) KDV Dahil
65
978,12 TL
15,048 TL Each (In a Tube of 65) (KDV Hariç)
1.173,74 TL
18,058 TL Each (In a Tube of 65) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
65
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 65 - 65 | 15,048 TL | 978,12 TL |
| 130 - 260 | 12,606 TL | 819,39 TL |
| 325+ | 11,682 TL | 759,33 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IsocomÜrün Tipi
Optokuplör
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Maksimum İleri Gerilim
1.5V
Kanalların Sayısı
1
Ambalaj
Bant ve makara
Pimlerin Sayısı
6
Paket Tipi
DIP
Giriş Akımı Tipi
AC
Tipik Yükselme Süresi
2μs
Maksimum Giriş Akımı
60mA
İzolasyon Gerilimi
5300Vrms
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
100°C
Tipik Düşme Süresi
2μs
Standartlar/Onaylar
EN60950 (Nemko P01102464), CECC 00802, UL (E91231), VDE 0884
Seri
MOC
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
The MOC8101/2/3/4/G series are constructed from a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode optically coupled to a monolithic silicon photo transistor detector. They have been designed and specified to meet the requirements of switchmode power supplies and other applications requiring very closely matched current transfer ratios (CTR), linearity and stable performance over the temperature range. The internal base-to-pin 6 connection has been eliminated for improved noise immunity. Surface Mount Option Available.
