Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
475,70 TL
475,70 TL Each (KDV Hariç)
570,84 TL
570,84 TL Each KDV Dahil
1

475,70 TL
475,70 TL Each (KDV Hariç)
570,84 TL
570,84 TL Each KDV Dahil
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 9 | 475,70 TL |
10+ | 414,34 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.