Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiÜrün Tipi
Optokuplör
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Maksimum İleri Gerilim
1.3V
Kanalların Sayısı
2
Ambalaj
Boru
Pimlerin Sayısı
8
Paket Tipi
PDIP
Giriş Akımı Tipi
DC
Tipik Yükselme Süresi
2.4μs
Maksimum Giriş Akımı
10mA
İzolasyon Gerilimi
5kVrms
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Akım Aktarım Oranı
6%
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
100°C
Tipik Düşme Süresi
2.4μs
Minimum Akım Aktarım Oranı
0.5%
Standartlar/Onaylar
EN, IEC, UL
Seri
MCT
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The MCT9001 optocoupler has two channels for density applications. For four channel applications, two packages fit into a standard 16-pin DIP socket. Each channel is an NPN silicon planar phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.306,80 TL
26,136 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
1.568,16 TL
31,363 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
1.306,80 TL
26,136 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
1.568,16 TL
31,363 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 26,136 TL | 1.306,80 TL |
| 100 - 950 | 15,312 TL | 765,60 TL |
| 1000 - 1950 | 14,916 TL | 745,80 TL |
| 2000 - 9950 | 14,52 TL | 726,00 TL |
| 10000+ | 14,19 TL | 709,50 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiÜrün Tipi
Optokuplör
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Maksimum İleri Gerilim
1.3V
Kanalların Sayısı
2
Ambalaj
Boru
Pimlerin Sayısı
8
Paket Tipi
PDIP
Giriş Akımı Tipi
DC
Tipik Yükselme Süresi
2.4μs
Maksimum Giriş Akımı
10mA
İzolasyon Gerilimi
5kVrms
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Akım Aktarım Oranı
6%
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
100°C
Tipik Düşme Süresi
2.4μs
Minimum Akım Aktarım Oranı
0.5%
Standartlar/Onaylar
EN, IEC, UL
Seri
MCT
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The MCT9001 optocoupler has two channels for density applications. For four channel applications, two packages fit into a standard 16-pin DIP socket. Each channel is an NPN silicon planar phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode.
