Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Bipolar Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
-10A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
-50V
Paket Tipi
SOT-89
Montaj Tipi
Yüzey
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
1.4W
Transistör Polaritesi
PnP
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
80
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
-5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Geçiş Frekansı (ft)
1MHz
Pim Sayısı
4
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
4.6mm
Yükseklik
1.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The 2STF2550 and 2STN2550 are PNP transistors manufactured using new PB-HCD (Power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
26.070,00 TL
10,428 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
31.284,00 TL
12,514 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
26.070,00 TL
10,428 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
31.284,00 TL
12,514 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 10,428 TL | 26.070,00 TL |
| 5000 - 7500 | 8,58 TL | 21.450,00 TL |
| 10000 - 22500 | 8,118 TL | 20.295,00 TL |
| 25000+ | 7,854 TL | 19.635,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Bipolar Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
-10A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
-50V
Paket Tipi
SOT-89
Montaj Tipi
Yüzey
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
1.4W
Transistör Polaritesi
PnP
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
80
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
-5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Geçiş Frekansı (ft)
1MHz
Pim Sayısı
4
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
4.6mm
Yükseklik
1.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The 2STF2550 and 2STN2550 are PNP transistors manufactured using new PB-HCD (Power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.