Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Bipolar Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
-2A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
-60V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzey
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi (VCBO)
-60V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
500mW
Transistör Polaritesi
PnP
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
45
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
-5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Pim Sayısı
3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
3.04mm
Yükseklik
1.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The device in a PNP transistor manufactured using new PB-HCD (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
23.760,00 TL
7,92 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
28.512,00 TL
9,504 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
23.760,00 TL
7,92 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
28.512,00 TL
9,504 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 7,92 TL | 23.760,00 TL |
| 6000 - 6000 | 7,194 TL | 21.582,00 TL |
| 9000 - 21000 | 6,27 TL | 18.810,00 TL |
| 24000+ | 6,072 TL | 18.216,00 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Bipolar Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
-2A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
-60V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzey
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi (VCBO)
-60V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
500mW
Transistör Polaritesi
PnP
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
45
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
-5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Pim Sayısı
3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
3.04mm
Yükseklik
1.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The device in a PNP transistor manufactured using new PB-HCD (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
