Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
2A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
115V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Transistör Yapılandırması
NPN
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi (VCBO)
100V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
2W
Transistör Polaritesi
NPN
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
15
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Pim Sayısı
3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10mm
Yükseklik
15.25mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
4.4 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics Power Transistor is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.761,20 TL
35,224 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.113,44 TL
42,269 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
1.761,20 TL
35,224 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.113,44 TL
42,269 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 35,224 TL | 1.761,20 TL |
| 500 - 1200 | 32,096 TL | 1.604,80 TL |
| 1250+ | 26,724 TL | 1.336,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
2A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
115V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Transistör Yapılandırması
NPN
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi (VCBO)
100V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
2W
Transistör Polaritesi
NPN
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
15
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Pim Sayısı
3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10mm
Yükseklik
15.25mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
4.4 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics Power Transistor is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.