Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Bipolar Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
8A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
450V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
70W
Transistör Polaritesi
NPN
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
12
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
12V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Pim Sayısı
3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
30.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Seri
BUL1102E
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
This is a high voltage fast switching NPN power transistor manufactured in multi epitaxial Planar technology. It uses a cellular emitter structure with Planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.
Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during breakdown condition, without using the Transil™ protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.580,60 TL
51,612 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.096,72 TL
61,934 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.580,60 TL
51,612 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.096,72 TL
61,934 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Bipolar Transistör
Maksimum DC Kollektör Akımı (Idc)
8A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
450V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
70W
Transistör Polaritesi
NPN
Minimum DC Akım Kazancı (hFE)
12
Maksimum Verici Taban Gerilimi (VEBO)
12V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Pim Sayısı
3
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
30.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Seri
BUL1102E
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
This is a high voltage fast switching NPN power transistor manufactured in multi epitaxial Planar technology. It uses a cellular emitter structure with Planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.
Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during breakdown condition, without using the Transil™ protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
