Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
P Tipi, N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
6.5A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
QFN-9
Seri
MASTERG
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
31
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
300mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
1.5nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
40mW
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
125°C
Uzunluk
9mm
Yükseklik
1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS, ECOPACK
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.014.354,00 TL
338,118 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
1.217.224,80 TL
405,742 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
1.014.354,00 TL
338,118 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
1.217.224,80 TL
405,742 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
P Tipi, N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
6.5A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
QFN-9
Seri
MASTERG
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
31
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
300mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
1.5nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
40mW
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
125°C
Uzunluk
9mm
Yükseklik
1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS, ECOPACK
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
