Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
20A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-2
Seri
SiC MOSFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
203mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
45nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
10.4mm
Uzunluk
15.8mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.7 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
730.422,00 TL
730,422 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
876.506,40 TL
876,506 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
730.422,00 TL
730,422 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
876.506,40 TL
876,506 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
20A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-2
Seri
SiC MOSFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
203mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
45nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
10.4mm
Uzunluk
15.8mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.7 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.