Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
20A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-2
Seri
SiC MOSFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
203mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
45nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.8mm
Yükseklik
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
732,07 TL
732,07 TL Each (KDV Hariç)
878,48 TL
878,48 TL Each KDV Dahil
Standart
1
732,07 TL
732,07 TL Each (KDV Hariç)
878,48 TL
878,48 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
20A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-2
Seri
SiC MOSFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
203mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
45nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.8mm
Yükseklik
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
