Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
45A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
100mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
105nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
270W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
3.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
45A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
100mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
105nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
270W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
3.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.


