STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 45 A, 1200 V, 3-Pinli Hip247

RS Stok Numarası: 907-4741PMarka: STMicroelectronicsÜretici Parça Numarası: SCT30N120
brand-logo
Tümünü MOSFET'ler içinde gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Ürün Tipi

MOSFET

İletken Tipi

N Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)

45A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)

1200V

Paket Tipi

Hip-247

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)

100mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

270W

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)

25 V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)

105nC

İleri Gerilim (Vf)

3.5V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

200°C

Genişlik

5.15 mm

Yükseklik

20.15mm

Uzunluk

15.75mm

Standartlar/Onaylar

No

Otomotiv Standardı

NO

Ürün Ayrıntıları

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Tümünü MOSFET'ler içinde gör

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

1.163,12 TL

1.163,12 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

1.395,74 TL

1.395,74 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 45 A, 1200 V, 3-Pinli Hip247
Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.163,12 TL
22.326,24 TL
33.489,36 TL
44.652,48 TL
55.815,60 TL
66.978,72 TL
78.141,84 TL
89.304,96 TL
910.468,08 TL
1011.631,20 TL
1112.794,32 TL
1213.957,44 TL
1315.120,56 TL
1416.283,68 TL
1517.446,80 TL

1.163,12 TL

1.163,12 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

1.395,74 TL

1.395,74 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 45 A, 1200 V, 3-Pinli Hip247

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.163,12 TL
22.326,24 TL
33.489,36 TL
44.652,48 TL
55.815,60 TL
66.978,72 TL
78.141,84 TL
89.304,96 TL
910.468,08 TL
1011.631,20 TL
1112.794,32 TL
1213.957,44 TL
1315.120,56 TL
1416.283,68 TL
1517.446,80 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Ürün Tipi

MOSFET

İletken Tipi

N Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)

45A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)

1200V

Paket Tipi

Hip-247

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)

100mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

270W

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)

25 V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)

105nC

İleri Gerilim (Vf)

3.5V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

200°C

Genişlik

5.15 mm

Yükseklik

20.15mm

Uzunluk

15.75mm

Standartlar/Onaylar

No

Otomotiv Standardı

NO

Ürün Ayrıntıları

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more