Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET Modülleri
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-7
Seri
SCT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.105Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.015.146,00 TL
1.015,146 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
1.218.175,20 TL
1.218,175 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
1.015.146,00 TL
1.015,146 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
1.218.175,20 TL
1.218,175 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET Modülleri
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-7
Seri
SCT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.105Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.