Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
SiC Güç Modülü
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.065Ω
Kanal Modu
Artırma
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3.242,84 TL
3.242,84 TL Each (KDV Hariç)
3.891,41 TL
3.891,41 TL Each KDV Dahil
Standart
1
3.242,84 TL
3.242,84 TL Each (KDV Hariç)
3.891,41 TL
3.891,41 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 49 | 3.242,84 TL |
| 50 - 99 | 2.857,40 TL |
| 100 - 249 | 2.568,32 TL |
| 250 - 499 | 2.502,98 TL |
| 500+ | 2.439,62 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
SiC Güç Modülü
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
H2PAK-7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.065Ω
Kanal Modu
Artırma
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
