Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
116A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
H2PAK
Seri
SCTH90
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
24mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
484W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
157nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
10.4mm
Uzunluk
15.25mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.8 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.704.186,00 TL
1.704,186 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
2.045.023,20 TL
2.045,023 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
1.704.186,00 TL
1.704,186 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
2.045.023,20 TL
2.045,023 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
116A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
H2PAK
Seri
SCTH90
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
24mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
484W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
157nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
10.4mm
Uzunluk
15.25mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.8 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
