Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
40A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Seri
SCTL35N65G2V
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
67mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
73nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
417W
İleri Gerilim (Vf)
3.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
8.1mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
8.1 mm
Yükseklik
0.95mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.897.208,00 TL
965,736 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
3.476.649,60 TL
1.158,883 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
2.897.208,00 TL
965,736 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
3.476.649,60 TL
1.158,883 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
40A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Seri
SCTL35N65G2V
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
67mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
73nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
417W
İleri Gerilim (Vf)
3.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
8.1mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
8.1 mm
Yükseklik
0.95mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
