Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
36A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Seri
SCTW40N
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
700mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
278W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
13nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
İleri Gerilim (Vf)
3.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.15 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
30
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
36A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Seri
SCTW40N
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
700mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
278W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
13nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
İleri Gerilim (Vf)
3.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.15 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
