Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Seri
SCT
Paket Tipi
Hip-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.105Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
İleri Gerilim (Vf)
3.4V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
290W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
63nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.15 mm
Yükseklik
34.95mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.137,57 TL
1.137,57 TL Each (KDV Hariç)
1.365,08 TL
1.365,08 TL Each KDV Dahil
Standart
1
1.137,57 TL
1.137,57 TL Each (KDV Hariç)
1.365,08 TL
1.365,08 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Seri
SCT
Paket Tipi
Hip-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.105Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
İleri Gerilim (Vf)
3.4V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
290W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
63nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.15 mm
Yükseklik
34.95mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.