Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
60A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Seri
SCT
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
73mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
3V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
94nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
389W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
34.8mm
Yükseklik
5mm
Standartlar/Onaylar
UL
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
49.490,10 TL
1.649,67 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
59.388,12 TL
1.979,604 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
49.490,10 TL
1.649,67 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
59.388,12 TL
1.979,604 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
60A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
1200V
Paket Tipi
Hip-247
Seri
SCT
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
73mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
3V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
94nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
389W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
200°C
Uzunluk
34.8mm
Yükseklik
5mm
Standartlar/Onaylar
UL
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
