Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
80A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
55V
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
6.5mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
300W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
142nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
4.37mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
9.35 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
76.230,00 TL
76,23 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
91.476,00 TL
91,476 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
76.230,00 TL
76,23 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
91.476,00 TL
91,476 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
80A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
55V
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
6.5mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
300W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
142nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
4.37mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
9.35 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
