Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
7A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
680mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
85W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
100nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.17mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
149.625,00 TL
59,85 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
179.550,00 TL
71,82 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
149.625,00 TL
59,85 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
179.550,00 TL
71,82 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
7A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
680mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
85W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
100nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.17mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
