Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
12A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
338mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
15.3nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
177.870,00 TL
71,148 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
213.444,00 TL
85,378 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
177.870,00 TL
71,148 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
213.444,00 TL
85,378 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
12A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
338mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
15.3nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
