Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
4A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
800V
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
1.73Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
30 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
5nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
60W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.17mm
Uzunluk
6.6mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
140.760,00 TL
56,304 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
168.912,00 TL
67,565 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
140.760,00 TL
56,304 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
168.912,00 TL
67,565 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
4A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
800V
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
1.73Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
30 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
5nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
60W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.17mm
Uzunluk
6.6mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
