Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Seri
STD
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
14nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
30 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
70W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
UL
Genişlik
6.2 mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
469,20 TL
93,84 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
563,04 TL
112,608 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
469,20 TL
93,84 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
563,04 TL
112,608 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 93,84 TL | 469,20 TL |
| 50 - 245 | 76,432 TL | 382,16 TL |
| 250 - 495 | 58,208 TL | 291,04 TL |
| 500+ | 51,68 TL | 258,40 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Seri
STD
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
14nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
30 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
70W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
UL
Genişlik
6.2 mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.