Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Kapı Sürücü Modülü
Çıkış Akımı
6A
Pim Sayısı
16
Paket Tipi
SO-16
Düşme Süresi
5ns
Sürücü Tipi
Kapı Sürücüsü
Minimum Besleme Gerilimi
3.3V
Sürücülerin Sayısı
2
Maksimum Besleme Gerilimi
5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Seri
STDRI
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
282.150,00 TL
112,86 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
338.580,00 TL
135,432 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
282.150,00 TL
112,86 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
338.580,00 TL
135,432 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Kapı Sürücü Modülü
Çıkış Akımı
6A
Pim Sayısı
16
Paket Tipi
SO-16
Düşme Süresi
5ns
Sürücü Tipi
Kapı Sürücüsü
Minimum Besleme Gerilimi
3.3V
Sürücülerin Sayısı
2
Maksimum Besleme Gerilimi
5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Seri
STDRI
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.