Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Kapı Sürücü Modülü
Çıkış Akımı
6A
Pim Sayısı
16
Düşme Süresi
5ns
Paket Tipi
SO-16
Sürücü Tipi
Kapı Sürücüsü
Minimum Besleme Gerilimi
3.3V
Sürücülerin Sayısı
2
Maksimum Besleme Gerilimi
5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Seri
STDRI
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
290.700,00 TL
116,28 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
348.840,00 TL
139,536 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
290.700,00 TL
116,28 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
348.840,00 TL
139,536 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Kapı Sürücü Modülü
Çıkış Akımı
6A
Pim Sayısı
16
Düşme Süresi
5ns
Paket Tipi
SO-16
Sürücü Tipi
Kapı Sürücüsü
Minimum Besleme Gerilimi
3.3V
Sürücülerin Sayısı
2
Maksimum Besleme Gerilimi
5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Seri
STDRI
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.