Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220FP
Seri
MDmesh
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
360mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
30nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
16.4mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
266,77 TL
266,77 TL Each (KDV Hariç)
320,12 TL
320,12 TL Each KDV Dahil
Standart
1
266,77 TL
266,77 TL Each (KDV Hariç)
320,12 TL
320,12 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 9 | 266,77 TL |
| 10 - 99 | 141,47 TL |
| 100 - 499 | 126,77 TL |
| 500+ | 108,57 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220FP
Seri
MDmesh
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
360mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
30nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
16.4mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
