Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220FP
Seri
MDmesh
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
360mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
-25/25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Transistör Yapılandırması
Tek
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
16.4mm
Genişlik
4.6 mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
5.338,00 TL
106,76 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
6.405,60 TL
128,112 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
5.338,00 TL
106,76 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
6.405,60 TL
128,112 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 106,76 TL | 5.338,00 TL |
| 100 - 450 | 85,544 TL | 4.277,20 TL |
| 500 - 950 | 76,16 TL | 3.808,00 TL |
| 1000 - 4950 | 64,26 TL | 3.213,00 TL |
| 5000+ | 61,812 TL | 3.090,60 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220FP
Seri
MDmesh
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
360mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
-25/25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Transistör Yapılandırması
Tek
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
16.4mm
Genişlik
4.6 mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
