Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
58A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
710V
Paket Tipi
TO-3PF
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
79W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
143nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
26.7mm
Genişlik
5.7 mm
Uzunluk
15.7mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Korea, Republic Of
Ürün Ayrıntıları
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
745,62 TL
745,62 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
894,74 TL
894,74 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
745,62 TL
745,62 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
894,74 TL
894,74 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
58A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
710V
Paket Tipi
TO-3PF
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
79W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
143nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
26.7mm
Genişlik
5.7 mm
Uzunluk
15.7mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Korea, Republic Of
Ürün Ayrıntıları
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.