STGD5H60DF STMicroelectronics IGBT, 10 A, 600 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Ürün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
H
Enerji Değeri
221mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
406,10 TL
40,61 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
487,32 TL
48,732 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
406,10 TL
40,61 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
487,32 TL
48,732 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 40,61 TL | 406,10 TL |
| 50 - 90 | 38,502 TL | 385,02 TL |
| 100 - 240 | 34,658 TL | 346,58 TL |
| 250 - 490 | 31,248 TL | 312,48 TL |
| 500+ | 29,698 TL | 296,98 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Ürün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
H
Enerji Değeri
221mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products