Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
2.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Uzunluk
6.6mm
Seri
H
Otomotiv Standardı
NO
Enerji Değeri
221mJ
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
371,58 TL
37,158 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
445,90 TL
44,59 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
371,58 TL
37,158 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
445,90 TL
44,59 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
2.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Uzunluk
6.6mm
Seri
H
Otomotiv Standardı
NO
Enerji Değeri
221mJ
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
