STGF10NB60SD STMicroelectronics IGBT, 23 A, 600 V, 3-Pinli TO-220FP

RS Stok Numarası: 877-2873PMarka: STMicroelectronicsÜretici Parça Numarası: STGF10NB60SD
brand-logo
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)

29A

Ürün Tipi

IGBT

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)

600V

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

80W

Paket Tipi

TO-220FP

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

İletken Tipi

N Tipi

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Tipi

3.8μs

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)

±20 V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))

1.75V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

150°C

Yükseklik

10.4mm

Uzunluk

30.6mm

Standartlar/Onaylar

RoHS

Seri

Low Drop

Enerji Değeri

8mJ

Otomotiv Standardı

NO

Menşe

China

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

807,04 TL

80,704 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

968,45 TL

96,845 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STGF10NB60SD STMicroelectronics IGBT, 23 A, 600 V, 3-Pinli TO-220FP
Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 10.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 10.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

10

Katlarında sipariş edilebilir 10
10807,04 TL
201.614,08 TL
302.421,12 TL
403.228,16 TL
504.035,20 TL
604.842,24 TL
705.649,28 TL
806.456,32 TL
907.263,36 TL
1008.070,40 TL
1108.877,44 TL
1209.684,48 TL
13010.491,52 TL
14011.298,56 TL
15012.105,60 TL

807,04 TL

80,704 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

968,45 TL

96,845 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STGF10NB60SD STMicroelectronics IGBT, 23 A, 600 V, 3-Pinli TO-220FP

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 10.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 10.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

10

Katlarında sipariş edilebilir 10
10807,04 TL
201.614,08 TL
302.421,12 TL
403.228,16 TL
504.035,20 TL
604.842,24 TL
705.649,28 TL
806.456,32 TL
907.263,36 TL
1008.070,40 TL
1108.877,44 TL
1209.684,48 TL
13010.491,52 TL
14011.298,56 TL
15012.105,60 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)

29A

Ürün Tipi

IGBT

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)

600V

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

80W

Paket Tipi

TO-220FP

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

İletken Tipi

N Tipi

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Tipi

3.8μs

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)

±20 V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))

1.75V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

150°C

Yükseklik

10.4mm

Uzunluk

30.6mm

Standartlar/Onaylar

RoHS

Seri

Low Drop

Enerji Değeri

8mJ

Otomotiv Standardı

NO

Menşe

China

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more