Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
7A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.6V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
4.6 mm
Seri
Powermesh
Yükseklik
16.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.951,60 TL
97,58 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
2.341,92 TL
117,096 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
20
1.951,60 TL
97,58 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
2.341,92 TL
117,096 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
20
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 20 - 98 | 97,58 TL | 195,16 TL |
| 100 - 198 | 87,04 TL | 174,08 TL |
| 200+ | 74,80 TL | 149,60 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
7A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.6V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
4.6 mm
Seri
Powermesh
Yükseklik
16.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
