Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
60A
Ürün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
260W
Paket Tipi
TO-3PF
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.7mm
Yükseklik
26.7mm
Standartlar/Onaylar
ECOPACK
Seri
V
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
368,64 TL
184,32 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
442,37 TL
221,184 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
368,64 TL
184,32 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
442,37 TL
221,184 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 184,32 TL | 368,64 TL |
| 10 - 18 | 175,04 TL | 350,08 TL |
| 20 - 48 | 157,76 TL | 315,52 TL |
| 50 - 98 | 142,08 TL | 284,16 TL |
| 100+ | 134,40 TL | 268,80 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
60A
Ürün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
260W
Paket Tipi
TO-3PF
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.7mm
Yükseklik
26.7mm
Standartlar/Onaylar
ECOPACK
Seri
V
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


