Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
20A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
9.15mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.777,80 TL
55,556 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.333,36 TL
66,667 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.777,80 TL
55,556 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.333,36 TL
66,667 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
20A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
25W
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
9.15mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
