Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-220
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
469,59 TL
93,918 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
563,51 TL
112,702 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
469,59 TL
93,918 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
563,51 TL
112,702 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 93,918 TL | 469,59 TL |
| 10 - 20 | 88,506 TL | 442,53 TL |
| 25+ | 86,394 TL | 431,97 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-220
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
