Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
216A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Transistör Sayısı
2
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
714W
Yapılandırma
Tek
Paket Tipi
ECOPACK
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
NPN
Pim Sayısı
9
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.05V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
4mm
Yükseklik
5.5mm
Standartlar/Onaylar
UL1557
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.226,72 TL
1.226,72 TL Each (KDV Hariç)
1.472,06 TL
1.472,06 TL Each KDV Dahil
Standart
1
1.226,72 TL
1.226,72 TL Each (KDV Hariç)
1.472,06 TL
1.472,06 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
216A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Transistör Sayısı
2
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
714W
Yapılandırma
Tek
Paket Tipi
ECOPACK
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
NPN
Pim Sayısı
9
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.05V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
4mm
Yükseklik
5.5mm
Standartlar/Onaylar
UL1557
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
