Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
145A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
441W
Paket Tipi
TO-247-4
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
4
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
STG
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
10.866,24 TL
362,208 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
13.039,49 TL
434,65 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
10.866,24 TL
362,208 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
13.039,49 TL
434,65 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
145A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
441W
Paket Tipi
TO-247-4
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
4
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
STG
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
